TowerJazz technology power management

180nm BCDパワーマネジメントプラットフォーム

あらゆる製品設計に対応可能な単一プラットフォーム

タワージャズの180nmパワーマネジメントモジュールテクノロジープラットフォームは、幅広い動作電圧に対して先端的な性能・効率・設計、および最適化したダイサイズを提供します。このプラットフォームには、モバイル、ウェアラブル、産業用および車載用など幅広いアプリケーションに最適な、種々のメモリ、高集積の1.8Vおよび5Vライブラリと先端のパワーLDMOSなど、高度なデバイス群が搭載可能です。最先端のPDK(TS18PM)によって、さまざまなデバイス分離構造やLDMOSオプションを用いた場合にも回路資産を再利用することが可能になり、製品を市場に早期投入できるだけでなく、デザインサイクルにおいて効率的にコストと時間節約することができるなど、高い信頼を得ています。

当社の180nmプラットフォームは、世界2ヶ所の製造拠点で利用可能であり、極めて柔軟な製造オペレーション、継続的な製品供給、地域に適したサービスを提供します。

   プラットフォームの特徴:  

  • CMOS、LDMOS、抵抗器、BJT、キャパシタなどを含む、どのような電源制御用途にも最適に対応する100以上のデバイス
  • 要望パワー仕様に対して最小セル面積解を提供するスケーラブルLDMOS設計機能をサポートしたPDK
  • 1.8V/5Vおよび5V単一のオプション
  • 5Vから200Vの超低オン抵抗LDMOS群: 1.8V LDMOS、8V~42V 第4世代LDMOS、42V~140V RESURF, Drain分離型 LDMOS、200V LDMOS
  • 1.5MHz以上のスイッチング周波数でも高効率な低Qgd LDMOS
  • AlおよびCuの最上層メタル厚膜配線オプション
  • スマートESDツールとポストレイアウト検証
  • 最大256kbitのeNVM OTPとMTPを含む多彩なIPポートフォリオ
  • お客様に継続的な市場優位性をもたらす先進的、挑戦的な開発ロードマップ
  • 複数の製造拠点(イスラエル、日本)によるBCP対応と地域調達優位性
Power Management 180nm

5V駆動LDMOS

高エネルギーインプラント技術(HEI)を用いた0.18µm BCD

   プラットフォームの特徴: 

  • 5V駆動デバイスに特化してコスト優位性を追求した省マスク版0.18μmパワーマネジメントプロセス
  • 最新のパワーデバイス素子分離手法
  • ダイサイズ小型化に向けたアグレッシブなデザインルール
  • 高周波スイッチングに対応して電力効率を向上させたゲート駆動電圧1.8VのLDMOSオプション(Ec=f*½*CV2)

最大動作電圧42V

TS18PM第4世代プラットフォームと低Qgdオプション

     プラットフォームの特徴:  

  • 業界初の低オン抵抗と低Qgd特性両立によって、電源ICの電力効率向上、消費電力削減、およびICと基板の温度上昇抑制に貢献
  • モータードライバ、ラップトップ、USB-C、ワイヤレス充電器、携帯電話のコンシューマ向け市場に最適
  • ダイサイズの小型化に対応するスケーラブルなLDMOSデバイス
Power Management Consumer up to 42V

最大BVDSS 140V

低オン抵抗およびドレイン分離型の0.18µmパワープラットフォーム

   プラットフォームの特徴: 

  • 最先端のローサイドおよびハイサイド用140V低オン抵抗LDMOS、140Vブートストラップダイオードおよび140Vフローティング動作可能
  • 最大耐圧65Vのドレイン分離型(DrainISO)LDMOS
  • デジタル回路の搭載能力に優れ、高電圧帯における低オン抵抗特性によって高効率・低消費電力・小ダイサイズを実現
  • ドローン、ロボット、各種パワーツール、ガーデニングツール、データセンターの48V DC-DCコンバータ、PoE用IC、自動車用LEDヘッドライト、LiDAR、48V電源アーキテクチャなどのコンシューマ向けおよび産業用製品に使用されるモータードライバ、DC-DCコンバータ、バッテリー管理用ICなど多様なアプリケーションに大きなメリットを提供

 最大BVDSS 200V

0.18µm 8インチSOIテクノロジー

タワージャズの0.18μm SOI-BCDプラットフォーム(TS18SOI)は、SOI基板上で5Vから200Vまでのブレークダウン耐圧を実現しています。高密度のNVM(不揮発性メモリ)も搭載可能であり、幅広い用途にお使いいただけます。ノイズや高温時のリーク電流に敏感なアプリケーション向けの高集積・高信頼性プラットフォームであり、高密度NVMと合わせて 車載用・医療用・産業用いずれのミックスドシグナル用途においても最適な選択肢です。このプロセスにより、負電圧バイアス動作を含む任意の電圧帯で、チップサイズの最小化が可能になります。

   プラットフォームの特徴: 

  • 最大200Vまでのブレークダウン電圧に対応
  • ディープトレンチ分離および埋め込み酸化膜を特徴とするプロセスでありモータードライバ、家電、産業用機器、バッテリーマネジメントシステム、電気自動車、超高速GaNドライバ、工業用モーターコントローラなど、多様な高性能アナログ及び電源アプリケーション向けに優れた性能を提供
  • タワージャズの優れた180nmバルクBCDプラットフォームをベースにした耐圧200VのSOI-BCDプロセス
  • SOI技術採用によって、一般のファンドリ製品において標準的に用いられる接合分離構造と比較して面積が最大50%削減できる他、ESD/EMCやラッチアップに対する高い耐性、マイナス200Vまでの負バイアス動作が可能になり、高温領域でのリーク電流も抑制
Power Management High Voltage 200V 180nm