TowerJazz technology power management

先端65nm BCDパワーマネジメントプラットフォーム

300mmの最先端テクノロジー

駆動電圧16Vまでの巨大なパワーマネジメント製品市場

65nm BCDプロセスは、最高の省電力性能、最高のデジタル回路搭載能力、そして最小のダイサイズと最少マスク枚数との相乗効果による優れた費用対効果で、低電圧パワー市場セグメントを牽引します。

このプラットフォームは、PMIC、ロードスイッチ、DC-DCコンバータ、LEDドライバ、モータードライバ、バッテリーマネジメント、アナログ/デジタルコントローラなど、アプリケーションを問わず電圧16Vまでのあらゆるタイプのパワーマネージメントチップの競争力を大幅に強化します。

このプロセスには、5V、7V、12V、16Vで動作する4種類の最先端パワーLDMOSトランジスタが搭載され、それぞれ現時点で最高レベルのオン抵抗とQgdパラメーターを備えています。さらに、複数のチップを単一のモノリシックなICソリューションに統合でき、従来のマルチチップモジュール構成に比べてシステムのコスト構造およびトータルパフォーマンス改善が可能となります。

タワージャズのパワートランジスタは分離性能に優れているとともに、オン抵抗も5V LDMOSにおいて1mΩ*mm²未満と極めて低く、メガヘルツ(MHz)級のスイッチング周波数で動作する製品に対しても、65nm BCDパワートランジスタのQgdが2.3mΩ*nCと非常に低いことが利点です。さらに、1層もしくは2層の3.3μm厚のCu厚膜配線層を使用することで、極めて低い配線抵抗を実現しています。また65nm BCDは、5V系としてアグレッシブな113Kgate/mm²、1.2V系は 800Kgate/mm² のデジタルライブラリを提供します。

プラットフォームの特徴:  

  • 12V BVDSS向けとして業界最高性能の低オン抵抗(<1mΩ*mm²)
  • 厚み3.3µmの厚いCu配線層(1層または2層選択可)による低配線抵抗と大電流対応
  • 45Vまでのフローティング使用が可能なLDMOS
  • 高速スイッチングコンバーター動作時に優れた電力効率を実現する低Qgd特性
  • 優れた5Vデジタル回路に加えて、マスク3回追加のみで高密度1.2Vデジタル回路が搭載可能
  • 最先端の工程管理技術と短納期生産
  • PMIC、ロードスイッチ、DC-DCコンバータ、LEDドライバ、モータードライバ、バッテリー制御、アナログ/デジタルコントローラなど幅広い製品に展開可能な柔軟性を備えた技術
  • IATF 16949取得